张立春

点击量:   时间:2020-06-10 17:24

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张立春博士、副教授

物理学学术学位硕士生导师

职务:副院长、教工党支部书记

(首批全国党建工作样板支部、首批山东高校

“双带头人”教师党支部书记工作室负责人)

电话:0535-6695983(O)

Email: phyzlc@163.com

教育经历:

● 2010.09 - 2013.06 曲阜师范大学,光学专业,获理学博士学位

● 2004.09 - 2007.07 曲阜师范大学,物理电子学专业,获理学硕士学位

● 2000.09 - 2004.07 曲阜师范大学,电子信息工程专业,获工学学士学位

工作经历:

● 2013.06 -今 kok全站版app下载从事教学与科研工作

● 2013.07 - 2016.06 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室(量子信息与量子科技前沿协同创新中心)从事博士后研究工作

● 2007.07 - 2010.08中国人民解放军海军航空工程学院从事教学科研工作

目前研究领域:

● 宽带隙半导体薄膜材料的真空生长

● 紫外光电探测器件制备及应用

● 发光材料与器件物理

承担研究课题

● 国家自然科学基金面上项目(62075092),61万元,2021.1-2024.12,负责人

● 国家自然科学基金青年项目(11504155),23万元,2016.1-2018.12,负责人

● 山东省自然科学基金,5万元,2015.07-2016.12,负责人

● 山东省高等学校科技计划项目,5.6万元,2015.01-2017.12,负责人

● 烟台市校地融合项目,75万元,2020.01-2022.12,负责人

● 中国博士后科学基金面上资助项目,5万元,2013.07-2015.05,负责人

● 国家自然科学基金重大研究计划项目(91321313),2014.01-2016.12,参加

● 国家自然科学基金重点项目(61435012),2015.01-2017.12,参加

● 国家自然科学基金面上项目(11275113),2013.01-2016.12,参加

● 国家自然科学基金专项基金(11144010),2012.01-2014.12,参加

主讲课程

● 研究生课程:《固体薄膜及光学性质》、《新能源材料与器件》

● 本科生课程:《光电检测技术》、《太阳能发电技术》、《通信导论》、

《新能源材料与器件概论》、《计算机网络与数据通信》

学生培养

● 研究生培养,主要招收光学、半导体光电材料与器件方向硕士研究生。近三年,指导研究生获山东省优秀硕士学位论文1篇、山东省优秀研究生成果奖2项,1人获得国家奖学金。

● 本科生培养,主要指导学生开展半导体光电器件、新能源材料与器件应用等方面的创新创业活动和相关科普活动。2016年以来指导本科生获省级以上科技竞赛奖励30余项,承担大学生国创、省创项目12项。指导本科生获山东省优秀学士学位论文1篇。

奖励情况和荣誉称号:

● 2021.09山东省优秀研究生指导教师

● 2021.06kok全站版app优秀党务工作者

● 2020.12山东物理学会优秀青年学术奖

 

● 2019.12kok全站版app2019年度先进工作者

● 2019.07kok全站版app优秀共产党员

● 2018.12全国信息化人才职业资格(高级)

● 2018.11全国移动互联创新大赛高校组教学成果奖一等奖

● 2017.12kok全站版app2017年度先进工作者

● 2017.06全国高等学校大学物理实验课程青年教师讲课比赛山东省一等奖

● 2016.12kok全站版app2016年度先进工作者

● 2015.01中科院半导体所2014年度优秀博士后(一等)

● 2009.07中国人民解放军海军航空工程学院优秀共产党员

● 2007.03共青团山东省委、山东省学联向社会公开举荐的千名优秀毕业生

● 2006.12山东省优秀毕业生

● 2003.07曲阜师范大学优秀共产党员

代表性成果

2012年以来,在《中国科学》、《发光学报》、Advanced Optical Materials、Optics Letters、Optics Express等期刊发表SCI、EI收录论文80余篇,其中第一作者或通讯作者论文33篇,授权国家发明专利1项。获得山东省高等学校优秀科研成果奖及山东省研究生优秀科技创新成果奖共6项。

代表性学术论文/专利(第一作者/通讯作者):

[1] 铝纳米颗粒增强氧化镓日盲光电探测器性能研究.中国科学,2022.03.(通讯作者)

[2] Tunable Morphology and Highly Stable a-CsPbI3Nano-bricks for Photoelectric Devices.Journal of Colloid and Interface Science, 616, 730 (2022).(通讯作者)

[3] Self-powered CsCu2I3/Si heterojunction UV photodetectors prepared by pulsed-laser deposition., 905, 164245 (2022).(通讯作者)

[4] Deep ultraviolet photodetector based on pulsed laser deposited Cs3Cu2I5films/n-Si heterojunction.Optics Letters, 46(17), 4252 (2021). Editor's Pick(通讯作者)

[5] Enhanced Responsivity of CsCu2I3Based UV Detector with CuI Buffer-Layer Grown by Vacuum Thermal Evaporation.Advanced Optical Materials, 2100889 (2021).(通讯作者)

[6] Tunable electroluminescence from n-ZnO/p-GaN heterojunction with CsPbBr3interlayer grown by Pulse Laser Deposition.Journal of Materials Chemistry C, 8, 12240 (2020).(通讯作者)

[7] Improved Photoresponse Performance of Self-Powered β-Ga2O3/NiO Heterojunction UV Photodetector by Surface Plasmonic Effect of Pt Nanoparticles.IEEE Transactions on Electron Devices, 67(8), 3199 (2020).(通讯作者)

[8] One-pot aqueous synthesis of icosahedral Au as bifunctional candidates for enhanced glucose electrooxidation and surface-enhanced Raman scattering,ACS Applied Materials & Interfaces, 12, 12186−12194 (2020).(通讯作者)

[9] Enhanced p-CuI/n-ZnO photodetector based on thermal evaporated CuI and pulsed laser deposited ZnO nanowires.Optics Letters,45(2), 559-562 (2020).(通讯作者)

[10]Self-powered photodetectors based on b-Ga2O3/4H-SiC. heterojunction with ultrahigh current on/off ratio and fast response.Journal of Alloys and Compounds, 821,153532 (2020).(通讯作者)

[11]Enhanced photoresponse of n-ZnO/p-GaN heterojunction ultraviolet photodetector with high-quality CsPbBr3films grown by pulse laser deposition.Journal of Alloys and Compounds, 802, 70-75 (2019).(通讯作者)

[12]Influence of annealing temperature on structure and photoelectrical performance of β-Ga2O3/4H-SiC heterojunction photodetectors.Journal of Alloys and Compounds, 798, 458-466 (2019).(通讯作者)

[13]Growth and optoelectronic application of CsPbBr3thin films deposited by pulsed-laser deposition,Optics Letters, 44(8), 1908-1911 (2019).(通讯作者)

[14]Improvement of UV electroluminescence of n-ZnO/p-GaN heterojunction LED by ZnS interlayer.Optics Express, 21(14), 16578-16583(2013).(第一作者)

[15]一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法,发明专利,2017-03-06,CN201510030113.0,已授权。第一发明人

科研奖励

[1] 2020.12山东省研究生优秀科技创新成果奖三等奖(指导教师)

[2] 2019.12山东省研究生优秀科技创新成果奖二等奖(指导教师)

[3] 2019.11山东省高等学校优秀科研成果奖三等奖(2/4)

[4] 2015.09山东省高等学校优秀科研成果奖三等奖(4/5)

[5] 2014.09山东省高等学校优秀科研成果奖三等奖(1/5)

[6] 2013.09山东省研究生优秀科技创新成果奖三等奖(1/5)